Включение биполярного транзистора по схеме с об

включение биполярного транзистора по схеме с об
Выводы база-эмиттер транзистора будем считать входом каскада, а выводы база-коллектор – его выходом. Таким образом, фототранзистором можно управлять и как обычным биполярным транзистором, варьируя током базы, и как светочувствительным прибором. К важным параметрам фототранзистора относят темновой ток, ток при освещении и интегральную чувствительность. Транзисторы классифицируют по материалу полупроводника, подразделяя на германиевые, кремниевые, из арсенида галлия и прочие. При расчете коэффициента усиления транзистороного каскада по переменному току следует учитывать, что этот коэффициент зависит от частоты усиливаемого сигнала. Принцип действия транзистора заключается в том, что 2 р-п перехода расположены настолько близко друг к другу, что происходит взаимное их влияние, вследствие чего они усиливают электрические сигналы.


Усиление каскада с ОБ обеспечивает усиление только по напряжению. Объясняется это свойствами этой схемы включения: входное сопротивление — от единиц до десятков Ом, а выходное сопротивление — от сотен килоом до единиц мегаом. Схема каскада усиления с коллекторной стабилизацией и схемой включения транзистора с общей базой приведена на рисунке 4. Рисунок 4 Принципиальная схема включения транзистора с ОБ (коллекторная стабилизация режима) Отличительной особенностью схемы с общей базой является малое входное сопротивление. Электрическое поле помогает преодолеть (усиливает) барьер перехода слоев, так как электроны здесь неосновные носители.

Получается, что транзистор как бы заперт, и говорят, что он находится в режиме отсечки. Конструкция транзистора выполнена таким образом, чтобы он максимально эффективно работал в активном режиме. Данное включение транзистора позволяет более полно использовать частотные характеристики транзистора при минимальном уровне шумов.

Похожие записи: